[发明专利]一种GOQDs@PDA-ir-MIP分子印迹荧光传感器及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202010355972.8 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111534299B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 李原婷;杨圆圆;李学剑;韩生;蔺华林;王露露;唐佳斌;马健;孔玥 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C09K11/65 分类号: C09K11/65;C09K11/02;G01N21/64;B82Y20/00;B82Y30/00
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 吴文滨
地址: 201418 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种GOQDs@PDA‑ir‑MIP分子印迹荧光传感器及其制备方法与应用,制备方法为:以多巴胺作为功能单体,以抗生素分子作为模板分子,在碱性环境下于羧基氧化石墨烯量子点表面发生自聚合,得到GOQDs@PDA‑MIP,后经浓缩、洗脱,即得到GOQDs@PDA‑ir‑MIP分子印迹荧光传感器。与现有技术相比,本发明制备的传感器不仅集合了羧基氧化石墨烯量子点优秀的光学性能和分子印迹聚合物的特异性识别能力的双重优势,更是让分子印迹聚合壳层为量子点提供了保护层,使其物化性质更加稳定,并且具有制备过程简单、检测速度快、无需样品前处理、绿色环保、成本低廉等优点,表现出广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 goqds pda ir mip 分子 印迹 荧光 传感器 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海应用技术大学,未经上海应用技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010355972.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code