[发明专利]沟槽栅结构及形成方法在审
| 申请号： | 202010356464.1 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN113571413A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 季明华;杨龙康;徐怀花;王欢;张汝京 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽栅结构及形成方法，方法包括如下步骤：提供第一晶面族晶面的衬底；形成第一沟槽，其底面包含第一晶面族的晶面，其侧壁包含第二晶面族的晶面；在第一沟槽侧壁形成隔离层；对第一沟槽底部进行具有晶面选择性的湿法刻蚀并形成第二沟槽，其表面包含第三晶面族晶面；第三晶面族晶面原子排列密度高于第一晶面族和第二晶面族；去除隔离层，在第一沟槽侧壁及第二沟槽表面形成热氧化层，第二沟槽表面热氧化层厚度大于第一沟槽侧壁。本发明采用晶面选择性湿法刻蚀使沟槽底部呈特定晶面，并在热氧化后在沟槽底部形成更厚的栅氧化层，从而避免了底部栅氧化层较薄引发的器件失效问题，提升了器件击穿电压，改善了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
