[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010357589.6 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111554739A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 冯荣杰 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上，具有多个接触孔；隔离区，位于外延层中，从外延层的上表面延伸至衬底的上表面；第一轻掺杂区，位于外延层中并且从隔离区内部横向延伸至外延层中，第一轻掺杂区超出隔离区第一预定长度；以及第一导电层，位于绝缘层上，并且位于第一轻掺杂区上方，横向超出第一轻掺杂区第三预定长度，其中，第一引线经由接触孔与第一轻掺杂区相连。该半导体器件通过设置第一轻掺杂区和第一导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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