[发明专利]一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法有效

专利信息
申请号: 202010358213.7 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111584326B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 张益军;荣敏敏;张锴珉;舒昭鑫;王自衡;钱芸生;李姗;李诗曼;詹晶晶 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01J9/12 分类号: H01J9/12
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 岑丹
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种提高InGaAs光电阴极量子效率的激活方法,包括铯、氧激活和铯、NF3激活的两次激活,具体为:对InGaAs光电阴极进行第一次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启氧源,并保持铯源开启,当光电流再次到达峰值时关闭氧源;对InGaAs光电阴极进行第二次高温净化;开启铯源,当光电流下降到峰值电流的50%~85%时,开启NF3进气阀门,使NF3气体进入激活腔体,并保持铯源开启,当光电流曲线上升速率小于0.2μA/min,关闭NF3进气阀门,关闭铯源。本发明可以得到量子效率更高的InGaAs光电阴极。
搜索关键词: 一种 提高 ingaas 光电 阴极 量子 效率 激活 方法
【主权项】:
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