[发明专利]降低高压互连影响的横向器件及制备方法有效
| 申请号： | 202010358355.3 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111524965B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 周锌;师锐鑫;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低高压互连影响的横向器件及制备方法，包括第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漂移区、第一型掺杂杂质外延层、绝缘埋层、第二型掺杂杂质衬底、源电极、栅电极、漏电极、栅氧化层、硅局部氧化隔离氧化层，通过不同的工艺步骤分别形成高压互连区的第一型掺杂杂质漂移区和非高压互连区的第一型掺杂杂质外延层，改变高压互连区的漂移区掺杂浓度，增强了高压互连区漂移区耗尽能力，提高了器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 高压 互连 影响 横向 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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