[发明专利]基于氮化镓-氮化铝核壳结构的微米线紫外光探测器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010358975.7 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111509062B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李述体;施江;高芳亮;刘青 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 | 代理人： | 曾嘉仪 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于氮化镓‑氮化铝核壳结构的微米线紫外光探测器件及其制备方法，该器件包括镀有二氧化硅的硅片基底；硅片基底上设置有微米线层，微米线层由若干氮化镓‑氮化铝核壳结构微米线形成，微米线层上镀有银电极。本发明所提供的基于氮化镓‑氮化铝核壳结构的微米线紫外光探测器件其光开关比达到1.88×10 |
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| 搜索关键词： | 基于 氮化 铝核壳 结构 微米 紫外光 探测 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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