[发明专利]基于十字交叉微米线构筑的隧穿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010360720.4 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111564535B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 姜明明;季姣龙;阚彩侠;冒王琪 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/24;H01L33/28;B81B1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 秦秋星 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于十字交叉微米线构筑隧穿发光二极管及其制备方法，该隧穿发光二极管包括一石英衬底；两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线；用铟颗粒将交叉的两根不同Ga掺杂浓度氧化锌微米线固定在石英衬底上。两根微米线之间的I‑V特征曲线呈现明显Schottky接触特性，通过调节施加在两根微米线上的电压可以使得该器件的发光区局限于交叉区。通过光谱分析，发光峰位不同于两根微米线单独发光的峰位，并且通过改变实验条件可以控制交叉区发光峰位的移动。结合十字交叉区电子传输的特性分析：基于两根不同Ga掺杂浓度ZnO微米线构建的十字交叉结构实现了隧穿效应。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 十字 交叉 微米 构筑 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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