[发明专利]具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件在审
| 申请号： | 202010361865.6 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111430520A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有N型电子阻挡层的LED外延结构及其制备方法和LED器件，所述LED外延结构从下向上依次包括衬底、非掺杂半导体层、复合N型半导体层、多量子阱层、和P型半导体层。所述复合N型半导体层沿外延生长方向依次包括第一N型半导体层、复合N型电子阻挡层和第二N型半导体层。其中所述复合N型电子阻挡层依次包括金属化的粗化层、在所述粗化层表面形成的具有凹凸曲面结构的停顿退火层、在所述停顿退火层上的具有凹凸曲面结构的超晶格层。本发明通过形成具有凹凸精细结构的N型电子阻挡层，来提升电子载流子的横向扩展能力，提升LED发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电子 阻挡 led 外延 结构 及其 制备 方法 器件 | ||
【主权项】：
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