[发明专利]功率半导体模块装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010362239.9 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111900134A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | A·赫恩 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/049 | 分类号： | H01L23/049;H01L23/14;H01L23/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种功率半导体模块装置包括：布置在外壳中的半导体衬底，其中，至少一个半导体主体布置在半导体衬底上；以及包括框架或主体、第一端子元件和第二端子元件的安装装置。安装装置被插入在外壳中并与外壳耦合。第一和第二端子元件中的每者以第一端机械及电接触半导体衬底。第一和第二端子元件中的每者的中间部分穿过框架或主体延伸，第一和第二端子元件中的每者的第二端延伸到外壳外部，并且第一端子元件通过框架或主体的部分与第二端子元件介电绝缘。第一端子元件被注入到框架或主体中并且与框架或主体不可分开地耦合，并且第二端子元件布置在框架或主体内部的中空空间内，并且第二端子元件与框架或主体可拆分地耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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