[发明专利]氧化膜中氯含量的检测方法有效
| 申请号： | 202010363437.7 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111524825B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;吴志涛;张家瑞;李小康;高超;王哲献 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种氧化膜中氯含量的检测方法，涉及半导体制造领域。该方法包括获取氧化膜的厚度增加量与氯含量的基准对应关系，所述氧化膜的厚度增加量根据退火处理前的氧化膜厚度和退火处理后的氧化膜厚度确定；获取退火处理后所述待检测晶圆上氧化膜的厚度增加量；根据所述基准对应关系和所述待检测晶圆上氧化膜的厚度增加量，确定出所述待检测晶圆上氧化膜的氯含量；解决了现有技术中检测氧化膜中氯含量耗时长的问题；达到了提高氧化膜中氯含量的检测效率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 膜中氯 含量 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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