[发明专利]一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件有效
| 申请号： | 202010364664.1 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111564497B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王曦;蒲红斌;杨迎香;胡继超;张萌;钟艺文 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/16 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种具有非均匀体二极管的SiC MOSFET器件，n型4H‑SiC衬底上表面依次设有缓冲层、漂移区及电流扩展层，电流扩展层中间隔嵌有p阱区，每个p阱区中嵌有一个n |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 均匀 二极管 sic mosfet 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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