[发明专利]一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 202010366880.X | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN112038400B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 何先良;林志东;孙希国;杨宇;李云燕;魏明强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/20;H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自对准双凹槽砷化镓场效应晶体管的制作方法，在外延基底上采用两种不同的光刻胶形成T型窗口后，首先蚀刻N型重掺杂GaAs层形成第一预制槽，然后采用湿法蚀刻工艺蚀刻第一预制槽底部的N型掺杂GaAs层同时横向蚀刻第一预制槽侧壁的N型重掺杂GaAs层，使N型掺杂GaAs层形成第二凹槽同时第一预制槽扩大形成第一凹槽，然后沉积金属于T型窗口、第一凹槽和第二凹槽之内形成T型栅。本发明利用同一掩模形貌通过两次蚀刻到不同的终止层得到的双凹槽具有极高的对准性，避免了套刻技术导致的偏移问题对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 凹槽 砷化镓 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
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