[发明专利]混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法有效
| 申请号： | 202010369829.4 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111399117B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 冯佐;李兆峰;杨富华;王晓东;何玉铭;韩伟华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种混合集成的氮化硅微环谐振腔及其制备方法，其中，该氮化硅微环谐振腔包括：氮化硅波导；氮化硅微环谐振腔，设置与氮化硅波导形成耦合连接；楔形垂直耦合器，包括：氮化硅布拉格光栅耦合器，通过一楔形耦合器与氮化硅波导相连接，多晶硅楔形耦合结构，设置于氮化硅布拉格光栅耦合器和/或楔形耦合器上，以及III‑V族楔形耦合结构，设置于多晶硅楔形耦合结构上；III‑V族波导，设置与III‑V族楔形耦合结构相连接。本发明提供的该氮化硅微环谐振腔，可以实现III‑V族波导与氮化硅波导之间的垂直耦合。所设计的混合集成微环谐振腔具有低损耗、高偏振抑制比、高可集成度、制备工艺简单等综合优势。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 集成 氮化 硅微环 谐振腔 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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