[发明专利]一种双条形氮化硅波导及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双条形氮化硅波导及其制备方法，该波导包括：硅基底；均匀覆置于所述硅基底上表面的第一SiO2包覆层；位于所述第一SiO2包覆层上表面的双条形Si3N4波导结构；所述双条形Si3N4波导结构被第二SiO2包覆层包裹；其制备过程通过在硅基底热氧工艺形成第一SiO2包覆层；依次生长Si3N4层/αSi层/Si3N4层；通过光刻/离子束刻蚀形成αSi/Si3N4双条形氮化硅波导结构；采用湿法刻蚀部分去除夹层中的αSi材料，利用氮化硅材料高温抗氧化的性质，再热氧化留下的αSi形成SiO2；最后利用PECVD工艺生长第二SiO2包覆层，从而制作出双条形氮化硅形波导。