[发明专利]一种多孔镍钴氧化物及其两步合成法有效
| 申请号： | 202010370861.4 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111573746B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈泽祥;李兰;于常浩;王艳;卢家同;位华亮 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G53/00 | 分类号： | C01G53/00;C01G53/04;B82Y30/00;B82Y40/00;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/46 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 赖林东 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔镍钴氧化物及其两步合成法，包括钴‑甘油酸酯球基底，钴‑甘油酸酯球基底上原位生长结合镍钴氧化物纳米片；镍钴氧化物纳米片堆积形成三维立体多孔状微球，且镍钴氧化物纳米片表面垂直生长有多个柱状镍钴氧化物；三维立体多孔状微球的直径为6‑12μm；柱状镍钴氧化物的高度为10‑30nm；还公开了制成多孔镍钴氧化物的两步合成法；因镍钴氧化物纳米片会以模板为中心发育生长出来，所以保证了形貌的统一并避免团聚现象的产生，镍钴氧化物纳米片上以模板中的钴为原点垂直生长的柱状镍钴氧化物在纳米片之间形成了支撑作用，进一步增大了比表面积与结构稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 氧化物 及其 两步合 成法 | ||
【主权项】：
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