[发明专利]激光冲击制备亚纳米级沟道背电极场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 202010371602.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111628000B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡耀武;程佳瑞;何亚丽;黄正 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 石超群 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于场效应晶体管领域，具体涉及一种激光冲击制备亚纳米级沟道背电极场效应晶体管的方法，包括以下步骤：（1）在一维或二维材料场效应晶体管的百纳米级金属电极上铺设至少一层介电二维材料作为隔离层；（2）在隔离层表面覆盖两面平整的金属薄膜；（3）在金属薄膜表面覆盖固体透光层；（4）采用一定脉冲宽度、一定功率的脉冲激光垂直照射固体透光层一定时间；（5）去除金属薄膜及固体透光层，得到亚纳米级沟道背电极场效应晶体管。本发明操作要求简单，通过控制激光强度和曝光时间能够精确地减小沟道长度，提高晶体管的性能，降低功耗，突破摩尔定律带来的物理极限，实现大规模具有高电子性能和集成密度的场效应晶体管的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 冲击 制备 纳米 沟道 电极 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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