[发明专利]一种化学组成为Mg3.2有效

专利信息
申请号: 202010371633.9 申请日: 2020-05-06
公开(公告)号: CN111349902B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 丁发柱;古宏伟;商红静;黄大兴;谢波玮;高召顺;李太广;邹琪 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/34;C23C14/18;C23C14/58
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王术娜
地址: 100190 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法,属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜,所得热电薄膜具有二维空间结构,热导率低;同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应,从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底,其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度,能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长,最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加,其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶,所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂,沉积的薄膜成分非常均匀。
搜索关键词: 一种 化学 组成 mg base sub 3.2
【主权项】:
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