[发明专利]利用振动结合真空的植针装置及方法在审
| 申请号： | 202010371987.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111430248A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 梁猛;戴伟 | 申请（专利权）人： | 上海世禹精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海远同律师事务所 31307 | 代理人： | 许力;张坚 |
| 地址： | 201600 上海市松江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种利用振动结合真空的植针装置，包括：固定在振动台上的底座，所述底座的内部具有可通过抽真空设备进行抽真空的抽真空腔，该底座的顶部具有植针板放置平台，所述植针板放置平台上具有上下方向且与植针板的植针区域对应的第一通孔，所述第一通孔与所述抽真空腔连通，所述植针板放置平台上具有用于对压盖进行定位的定位件，所述定位件位于所述第一通孔周围；用于压住所述植针板的压盖，所述压盖上具有上下方向且与所述植针区域对应的第二通孔；可下压并锁定以对所述压盖施以持续下压力的下压机构。本发明植针效率高，适用于各种直径或长度的针。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 振动 结合 真空 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
