[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010373428.6 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113629136A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张钦彤;石峰;刘源;贾楠;刘自瑞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 100176 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的栅介电层、金属栅极；位于所述金属栅极底部和两侧的氧化铝阻挡层；位于所述氧化铝阻挡层底部和侧壁的铝膜；以及位于所述栅介电层和所述铝膜两侧的侧墙。本申请所述的半导体结构及其形成方法，制备方法简单，可以提高生产效率，减少产品颗粒缺陷，并且可以通过控制所述铝膜的厚度来控制栅极阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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