[发明专利]一种金刚石膜生长方法、具有金刚石膜的硅片与应用有效
| 申请号： | 202010373977.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113621938B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 杨国永;江南 | 申请（专利权）人： | 宁波材料所杭州湾研究院;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C16/02 | 分类号： | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/27;C23C16/46;C23C16/455;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人： | 刘洁 |
| 地址： | 315336 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种金刚石膜生长方法、具有金刚石膜的硅片与应用，所述生长方法包括将硅片浸泡在金刚石粉分散液中，得到预处理后的硅片，其中，所述硅片的一面设有由沟槽形成的图形；对所述预处理后的硅片进行热丝化学气相沉积，得到具有金刚石膜的硅片，所述金刚石膜覆盖所述沟槽的底部和侧壁。该方法克服了在较窄较深沟槽内金刚石难形核、难生长问题，避免了沟槽底部及侧壁无法完好成膜导致的绝缘效应无法保证的问题；该方法尤其适合对带有宽16～50μm、深1～180μm沟槽的硅片进行成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 生长 方法 具有 硅片 应用 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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