[发明专利]基于SIW的太赫兹传输结构及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010376340.X 申请日: 2020-05-07
公开(公告)号: CN111725595A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 丁丽;李萍;朱亦鸣;熊毓俊;鲍佳宸 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: H01P3/18 分类号: H01P3/18;H01P11/00
代理公司: 上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312 代理人: 余昌昊
地址: 200093 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了基于SIW的太赫兹传输结构及其制备方法和应用,该结构包括第一传输线、第二传输线和耦合传输线,第一传输线和第二传输线包括介质基片、设置于第一传输线介质基片下表面的金属镀铜层、第二传输线介质基片上表面的金属铜镀层、第一传输线介质基片上表面带有耦合窗开口的金属铜镀层和第二传输线介质基片下表面带有耦合窗开口的金属铜镀层;第一传输线和耦合传输线垂直,耦合传输线与第二传输线垂直;介质基片上设置两排平行的金属通孔贯穿介质基片与上下表面形成基片集成波导结构。本发明传输结构在转接处用基片集成波导替代了传统金属波导,避免了垂直转接处高次模的形成,完成了有垂直距离差太赫兹波等效波导口的创造。
搜索关键词: 基于 siw 赫兹 传输 结构 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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