[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010376529.9 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111916494A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;大部功;井手野馨 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王玮;张丰桥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够增大迁移电压并扩大SOA的半导体装置。在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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