[发明专利]功率半导体器件和方法在审
| 申请号： | 202010377178.3 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111916489A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | M.普法芬莱纳;J-G.鲍尔;F.D.普菲尔施;T.沙伊佩尔;K.施拉姆尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;陈岚 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 功率半导体器件和方法。一种功率半导体器件包括具有至少一个功率单元的有源区，其中该有源区具有总体积，该总体积具有形成总体积的至少20%的中央体积；形成总体积的至少20%并且围绕中央体积的外围体积；以及形成总体积的至少5%并且围绕外围体积的最外面的外围体积。该功率半导体器件进一步包括围绕有源区的最外面的外围体积的边缘终端区；具有正面和背面的半导体本体；在半导体本体正面处的第一负载端子和在半导体本体背面处的第二负载端子；第一掺杂半导体区，其形成在半导体本体中并且与第一负载端子电连接；第二掺杂半导体区，其形成在半导体本体中并且与第二负载端子电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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