[发明专利]太阳光盲区肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管

摘要

本发明公开了一种基于转印氧化镓薄膜的肖特基背栅金属氧化物半导体场效应光电晶体管。其包括：包括：多晶硅栅(1)、SiO2介质层(2)、Ga2O3薄膜沟道层(3)、源极(4)和漏极(5)。所述Ga2O3薄膜沟道层(3)印制在SiO2介质层(2)上面的源极(4)与漏极(5)之间，所述源极(4)采用欧姆接触，所述漏极(5)采用肖特基接触，形成肖特基背栅复合结构。本发明结合肖特基二极管的单向导电特性和栅极可控这两个优点，提高了器件控制能力以及减小了反向漏电流，使得光暗电流比增加，增强了器件的可靠性，可用于火焰探测、保密空间通信、目标预警与跟踪和太阳盲成像。