[发明专利]一种纳米P-P异质结构及其制备和应用在审
| 申请号： | 202010377717.3 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111682095A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李耀刚;吴波;侯成义;王宏志;张青红 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L35/12 | 分类号： | H01L35/12;H01L35/16;H01L35/34;H05B3/14 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达;宋旭 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米P‑P异质结构及其制备和应用，所述异质结构由P型半导体碲纳米线和P型半导体碲化锑纳米片组成，其中异质结构以碲纳米线表面缺陷为晶核，碲化锑纳米片垂直生长于碲纳米线表面。本发明制备的纳米P‑P异质结构可高效过滤低能量载流子进而提高其Seececk系数和热电性能，在温差发电与通电制冷领域有重要的科学价值和广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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