[发明专利]一种掺铈溴化镧闪烁晶体及其生长方法在审

专利信息
申请号: 202010378076.3 申请日: 2020-05-07
公开(公告)号: CN111549376A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 王海丽;李辉;陈建荣;黄存新 申请(专利权)人: 北京中材人工晶体研究院有限公司
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B27/00;G01T1/202;G01K7/02
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 赵奕
地址: 100018 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种掺铈溴化镧(LaBr3:Ce)闪烁晶体及其生长方法,在生长坩埚不动的情况下,在坩埚底部的热交换器中通入氦气,通过控制热交换器中氦气流量,导走熔体热量,实现熔体从下向上逐渐结晶,从而实现晶体生长。采用本发明工艺代替常规的坩埚下降法,避免了下降装置的微小震动对晶体生长的干扰而引入的包裹体、气泡等杂质,可显著提高晶体的光学质量,特别适合大尺寸(3英寸以上)、高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体的生长,晶体内部无肉眼可见气泡和包裹体等散射颗粒,样品的能量分辨率为不大于3.0%@662keV,采用本发明工艺甚至可成功生长出直径高达6英寸的高光学质量LaBr3:Ce闪烁晶体。
搜索关键词: 一种 掺铈溴化镧 闪烁 晶体 及其 生长 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京中材人工晶体研究院有限公司,未经北京中材人工晶体研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010378076.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top