[发明专利]一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法在审
| 申请号： | 202010378172.8 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111462796A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李岚;杨鹏城;徐建萍;石少波;刘丁;许江华 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 天津合正知识产权代理有限公司 12229 | 代理人： | 马云云 |
| 地址： | 300302 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种氧化物薄膜阻变存储器多级阻态的电压调控方法，该方法包括如下步骤：(1)在高阻态下对器件施加置位电压V |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 存储器 多级 电压 调控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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