[发明专利]一种集成MOSFET及二极管的半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202010378707.1 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111403487A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;张永杰;孙倩;黎沛涛 | 申请（专利权）人： | 创能动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 许铨芬 |
| 地址： | 中国香港新界大埔白石角*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种集成MOSFET及二极管的半导体装置及其制造方法。MOSFET包括第一阱区、第一源区、第一栅氧化层及第一栅极，二极管包括第二阱区、第二源区、第二栅氧化层及第二栅极，半导体装置还包括重掺杂区、第一接触区、第二接触区、第一调制掺杂区、第二调制掺杂区、源金属区及漏金属区，第一栅极与第二栅极电学隔离，源金属区与第二栅极电学连接，重掺杂区分别与第一栅氧化层及第二栅氧化层接触。通过以上方式，可大大减小第一栅氧化层及第二栅氧化层在反向电压时的电场强度，从而提高半导体装置的可靠性，同时，可降低二极管的导通压降以减少功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 mosfet 二极管 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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