[发明专利]一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层、n型非晶硅前电场层、正面透明导电氧化物层、正面金属电极；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明所述异质结电池的p型非晶硅发射极层位于电池的背面，同时利用氧化铝的场效应钝化来钝化p型非晶硅发射极层，提升异质结电池的开路电压和转换效率。