[发明专利]适用于硅异质结太阳电池制备的枚叶式真空薄膜沉积设备及其应用在审
| 申请号： | 202010380609.1 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111540696A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 任栋樑;陈昌明;杨杰;李正平;刘超;徐小娜;周国平 | 申请（专利权）人： | 熵熠(上海)能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/068;H01L31/072;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201100 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于硅异质结太阳电池制备的枚叶式真空薄膜沉积设备，设备包括七个真空腔室，其中一个是转换室，另外六个是功能真空室。转换室为圆形，位于设备的中心，用于样品的转运；六个功能真空室为方形，以转换室为中心，呈枚叶式分布于转换室周围。六个功能真空室分别是一个样品室、三个PECVD室、一个磁控磁控溅射室、一个电阻热蒸发室；每个功能真空室都有前开方形门，均可独立工作。使用本发明的枚叶式真空薄膜沉积设备，可在不破真空情况下完成整套硅异质结电池的镀膜工艺和电极工艺，得到硅异质结电池样品，提高了工艺的稳定性及可重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 硅异质结 太阳电池 制备 枚叶式 真空 薄膜 沉积 设备 及其 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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