[发明专利]存储器件在审
| 申请号： | 202010381375.2 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN112310040A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 朴南均 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;阮爱青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种存储器件。一种存储器件包括：存储单元阵列，其具有可变电阻存储单元，所述可变电阻存储单元耦接到在第一方向上延伸的第一导线以及与第一导线交叉的第二导线，并设置在第一导线与第二导线之间；以及选择电路，其被配置为选择第一导线。第二导线包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的直导线，以及通过直导线与选择电路间隔开的第一弯曲导线，第一弯曲导线彼此平行地延伸并且具有L形状。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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