[发明专利]一种MEMS钯合金探针测试装置有效
| 申请号： | 202010383665.0 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111504765B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 于海超;周明;赵梁玉;刘明星 | 申请（专利权）人： | 强一半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01N3/02 | 分类号： | G01N3/02;G01N3/08;G01N3/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明一种MEMS钯合金探针测试装置及其关键结构和方法属于IC制造业领域，具体涉及一项用于MEMS探针卡中钯合金探针性能测试的装置、方法及相关关键技术；该MEMS钯合金探针测试装置包括桶状壳体，设置在桶状壳体内壁的扰动结构，设置在桶状壳体外壁的电磁极，设置在桶状壳体内水平放置的基准测试平台，位于基准测试平台上方的对称弯曲测试结构，设置在桶状壳体上方的密封盖和安装在密封盖上的传感器、喷雾器、加热器和风扇；这种结构能够对MEMS探针卡上的探针进行拉伸性能和弯曲性能的测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 合金 探针 测试 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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