[发明专利]氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统有效
| 申请号： | 202010384551.8 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111668128B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 周平华;李飞 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氢离子注入剂量检测方法以及氢离子注入剂量检测系统，能够实现对氢离子注入剂量变化的检测，从而提高薄膜转移的质量，提高半导体器件的制备良率。其中，所述氢离子注入剂量检测方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内注入有氢离子，形成有氢离子注入层；检测所述氢离子注入层的厚度变化，并在所述氢离子注入层的厚度发生的变化超过预设值时判定所述氢离子的注入剂量发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 氢离子 注入 剂量 检测 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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