[发明专利]制造单向负阻ESD保护器件的方法及单向负阻ESD保护器件在审
| 申请号： | 202010385095.9 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111540711A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 庄翔;张超 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 刘亚飞 |
| 地址： | 226000 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造单向负阻ESD保护器件的方法及单向负阻ESD保护器件，方法包括：在衬底的正面外延生长外延层；在外延层内形成与衬底正面相接触的第一阱区，对第一阱区进行高温退火；在外延层内形成第一阱区外的其他区域，同步形成第二阱区与第三阱区，对第二阱区和第三阱区进行高温退火；在第一阱区内形成第一掺杂区；在第二阱区内形成第二掺杂区，及，在第三阱区内形成第三掺杂区，对第二掺杂区与第三掺杂区进行高温退火；在退火后的外延层、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区的表面形成的层间介质层上形成接触孔；在接触孔溅射金属，以在接触孔上方形成第一电极以及第二电极；在衬底的背面形成第三电极。可以提高浪涌防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 单向 esd 保护 器件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
