[发明专利]一种均衡SiC MOS MMC子模块器件损耗的方法有效
| 申请号： | 202010385356.7 | 申请日： | 2020-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN111600498B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 林磊;殷天翔 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H02M7/219 | 分类号： | H02M7/219 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种均衡SiC MOS MMC子模块器件损耗的方法，将子模块的工作模式分为同步整流模式和非同步整流模式，以SiC MOSFET的沟道双向导通特性为基础，通过不断的调整电流阈值，使得两种工作模式在整个工作周期内自适应的进行转换，从而调整两种工作模式在整个工作周期内的占比，实现MMC子模块器件的损耗最小化，该方法从器件控制角度出发，不改变换流器输出电能质量，利用SiC MOSFET沟道可双向导通电流的特性，在MMC输出波形不变的情况下实现子模块器件损耗的均衡，不会对MMC系统顶层控制造成影响；另外，该方法不需要增加额外的功率器件，适用于最基础的半桥子模块拓扑，不受拓扑的限制，可实现‑π/2至π/2的全功率因数范围内的损耗均衡，适用场景丰富。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均衡 sic mos mmc 模块 器件 损耗 方法 | ||
【主权项】：
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