[发明专利]一种提升量子效率的LED外延生长方法有效
| 申请号： | 202010386169.0 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111540814B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 徐平;谢鹏杰;刘康;尹志哲 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;C23C16/34;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;唐玲 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种提升量子效率的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层和降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括生长InGaN阱层、生长低温Mg陡峭掺杂AlGaInN层、生长高温不掺杂AlGaInN层和生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长方法中存在的电子泄露引起的量子效率出现坍塌问题，从而提高LED的发光效率，降低工作电压，减少波长漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 量子 效率 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010386169.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
