[发明专利]一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202010387066.6 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111640817A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 彭铭曾;郑新和;卫会云 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L31/11 分类号: H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y15/00
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法,该悬空横向双异质结光探测器包括:绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极和由二维材料制成的二维结构;其中,支撑结构设置在绝缘基底上,第一电极和第二电极设置在支撑结构上;二维结构附着于支撑结构材料之上,按照二维结构与支撑结构的接触情况,分为第一接触区、第二接触区和悬空区;其中,在第一接触区和第二接触区处形成异质结。本发明利用悬空横向双异质结对光的吸收与光电转换特性进行光探测应用,制作方法简单易行,无需在二维材料表面上制作电极;一方面降低了高精度光刻的对准难度和制作成本;另一方面也避免了电极工艺对二维材料表面的污染和损伤,恶化器件的电学接触性能。
搜索关键词: 一种 悬空 横向 双异质结光 探测器 及其 制作方法
【主权项】:
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