[发明专利]一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法在审
申请号: | 202010387066.6 | 申请日: | 2020-05-09 |
公开(公告)号: | CN111640817A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 彭铭曾;郑新和;卫会云 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01L31/11 | 分类号: | H01L31/11;H01L31/0352;H01L31/18;B82Y40/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法,该悬空横向双异质结光探测器包括:绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极和由二维材料制成的二维结构;其中,支撑结构设置在绝缘基底上,第一电极和第二电极设置在支撑结构上;二维结构附着于支撑结构材料之上,按照二维结构与支撑结构的接触情况,分为第一接触区、第二接触区和悬空区;其中,在第一接触区和第二接触区处形成异质结。本发明利用悬空横向双异质结对光的吸收与光电转换特性进行光探测应用,制作方法简单易行,无需在二维材料表面上制作电极;一方面降低了高精度光刻的对准难度和制作成本;另一方面也避免了电极工艺对二维材料表面的污染和损伤,恶化器件的电学接触性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 悬空 横向 双异质结光 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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