[发明专利]一种实现单分子探测的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010390423.4 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111650177A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 吴惠桢;鲁鹏棋 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 李亦慈;唐银益
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种实现单分子探测的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法,基底结构从下至上依次为Au孔阵列层,二维薄层GaTe层和Au纳米颗粒层,本发明在SiO2/Si基底层上,通过热蒸发的方法生长Ti层或Cr层,利用光刻和微纳加工方法制备Au孔阵列层,利用机械剥离的方法制备二维薄层GaTe层,并利用转移平台转移到Au孔阵列层上,最后将基底浸没在HAuCl4溶液中制备Au纳米颗粒层。本发明得益于GaTe材料较高的缺陷密度,在二维薄层GaTe层上自组装形成的金纳米颗粒层覆盖率能达到98%,此基底对R6G分子的最低探测浓度达到10‑16M,超过了绝大部分的表面增强拉曼散射基底,具有较好的稳定性和可重复性,具有实用化前景。
搜索关键词: 一种 实现 分子 探测 碲化镓基 表面 增强 基底 及其 制备 方法
【主权项】:
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