[发明专利]一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器及制备工艺在审
| 申请号： | 202010391523.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111477737A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 黄向向;杨敏;道格拉斯·雷·斯巴克斯;费玉斌;关健;孙斯佳 | 申请（专利权）人： | 罕王微电子（辽宁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/113 | 分类号： | H01L41/113;H01L41/22;G01L1/16;G01L9/08 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 113000 辽宁省抚顺*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；硅电阻层组成电桥，金属圆片为硅电阻层提供衬底结构，硅晶圆与金属圆片键合形成键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器制备工艺，硅电阻层：利用光刻，刻蚀和减薄工艺制程，为高温压力传感器电阻层；金属圆片为高温压力传感器主体结构，硅晶圆与金属圆片键合形成的键合界面由环氧树脂、玻璃、焊料构成可以由丝网印刷或光刻；金属连接层：利用物理气相沉积、光刻，剥离技术制成。本发明的优点：原理结构简单，精度高，稳定性好，有效克服传统高温高压传感器在高温下精度低、稳定性差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 晶圆键合 高温 高压 传感器 制备 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罕王微电子（辽宁）有限公司，未经罕王微电子（辽宁）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010391523.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
