[发明专利]四连接配体连接二维半导体构筑的三维材料及制备方法有效
| 申请号： | 202010392201.6 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111621028B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 戴红梅;邓鹤翔 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 艾小倩 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四连接配体连接二维半导体构筑的三维材料及制备方法。属于材料制备领域。二维半导体包括：二硫化钼，硫化钨和硒化钼，层与层之间通过范德华力连接，难以拉开，在制备方法过程中，首先合成含溶剂分子N’N‑二甲基乙酰胺的中间产物，然后再用氢氧化钠进一步处理，最后以四连接配体置换出溶剂分子，构筑成有序的三维框架结构材料。此类三维框架结构在作电催化析氢的电极材料时表现出优异的电催化性能。本发明的材料合成方法简单易行，绿色环保，具有普适性。由此得到的三维框架结构材料可同时具备二维材料在光，电，声等方面的性能，也同时具备三维材料在网状结构等方面的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 二维 半导体 构筑 三维 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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