[发明专利]一种GaN HEMT器件的制备方法在审
| 申请号： | 202010393703.0 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN111554742A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;于洪宇;汪青;范梦雅;何佳琦 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括提供外延基底，外延基底包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的沟道层以及势垒层；采用氧化刻蚀工艺图形化势垒层，形成源极欧姆接触凹槽和漏极欧姆接触凹槽；在源极欧姆接触凹槽内形成源极欧姆接触电极，同时在漏极欧姆接触凹槽内形成漏极欧姆接触电极；在势垒层、源极欧姆接触电极以及漏极欧姆接触电极背离衬底一侧形成图形化的钝化层，在钝化层背离外延基底的一侧形成源极、漏极、栅极开孔并沉积金属电极，金属电极包括源极金属电极、漏极金属电极和栅极金属电极。该方法能够精确控制刻蚀深度，改善欧姆接触区域的刻蚀形貌，提升欧姆接触质量，提升输出饱和电流，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南方科技大学，未经南方科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010393703.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
