[发明专利]一种杂原子掺杂改性g-C3

摘要

本发明涉及光催化材料技术领域，且公开了一种杂原子掺杂改性g‑C3N4异质结光催化降解材料，包括以下配方原料及组分：磷氧共掺杂g‑C3N4、氧化石墨烯、SnCl4、Cr(NO3)3、硫脲、分散剂、表面活性剂。该一种杂原子掺杂改性g‑C3N4异质结光催化降解材料，磷氧共掺杂g‑C3N4，降低了g‑C3N4的带隙宽度，增加了g‑C3N4的比表面积，提高了对可见光的光响应性，纳米花瓣状的Cr掺杂SnS2修饰氧化石墨烯，具有超高的比表面积，使SnS2的带隙变窄，磷氧共掺杂g‑C3N4和Cr掺杂SnS2之间形成Z型复合异质结，通过Z型异质结电子传输转移机制，促进了光生电子和空穴的分离，降低了复合率，可以与水和氧气反应生成羟基自由基和超氧自由基，实现高效的光催化降解过程。