[发明专利]一种半导体硅片表面清洗机构及其清洗工艺在审
| 申请号： | 202010396090.6 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111446188A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 常雪岩;武卫;刘园;刘建伟;祝斌;刘姣龙;裴坤羽;袁祥龙;孙晨光;王彦君;王聚安;由佰玲;杨春雪;谢艳;刘秒;吕莹;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08;B08B3/10;B08B3/12 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体硅片表面清洗机构，至少依次具有预清洗单元和酸洗单元；其中，在所述预清洗单元和所述酸洗单元之间还依次具有预酸洗单元和碱洗单元，所述预酸洗单元靠近所述预清洗单元设置；所述预酸洗单元、所述碱洗单元和所述酸洗单元之后分别设有清洗槽；或所述预酸洗单元和所述酸洗单元之后分别设有所述清洗槽。本发明还提出一种半导体硅片表面清洗工艺。本发明可在不破坏硅片表面特性及电特性的前提下，有效地降低硅片表面脏花率，并将残留在硅片上的微尘、金属离子、有机物及其它杂质一同去掉，提高清洗效率，保证清洗质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 硅片 表面 清洗 机构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
