[发明专利]半导体器件场板的制作方法在审
| 申请号： | 202010396763.8 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111554735A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;于洪宇;曾凡明;汪青 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件场板的制作方法，包括：在半导体外延片表面形成第一介质层；在所述第一介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第一定位孔；在所述第一介质层表面以及被所述第一定位孔暴露的半导体外延片表面形成第二介质层；在所述第一定位孔内的第二介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第二定位孔；在第二介质层表面以及所述第一定位孔和所述第二定位孔处形成场板结构。本发明实施例通过先形成第一定位孔，再形成第二介质层和第二定位孔，使得最终形成的场板结构具有弧形结构的边缘，从而使得场板边缘电场不易于局部集中，半导体器件不易于被击穿，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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