[发明专利]一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法有效
| 申请号： | 202010397372.8 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111599906B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;徐浩浩;万泽洪 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李艳景 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构深紫外LED芯片的制造方法。具体为：将p‑GaN欧姆接触层利用激光直写工艺加工成网格状结构，并使用了一种高反射率的p型低阻欧姆接触Ni/Al电极与p‑GaN网格进行欧姆接触，形成了较好的欧姆接触。然后通过在Ni/Al p电极导电层与外延层的n‑AlGaN层之间刻蚀沟槽阵列和内反射镜沟槽阵列，得到蜂窝状结构，Al层作为反射镜沉积在内反射镜沟槽侧壁，从而得到蜂窝状内反射器结构。通过用网格状透明p‑GaN层取代传统深紫外LED中的p‑GaN层和设计蜂窝状内反射器结构，实现了对LED有源层横向传播光子的出射，减少了深紫外LED芯片中有源区的损失，大大提高了芯片的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 深紫 led 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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