[发明专利]基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法有效

专利信息
申请号: 202010401623.5 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN111554700B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 闫锋;王子豪;李张南;沈凡翔;胡心怡;柴智;顾郅扬 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L29/423;H04N25/50;H04N25/67;G03F7/20
代理公司: 江苏法德东恒律师事务所 32305 代理人: 李媛媛
地址: 210046 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种基于复合介质栅结构的成像阵列及其曝光、读取方法。成像阵列包括具有复合介质栅结构的像素单元,每个像素单元的源极和漏极对称,若干数目的单元相互串联构成一行,同一行的相邻单元之间共用漏极或源极,若干行单元的漏极或源极再分别通过N型注入区与其它行对应位置的漏极或源极纵向连接构成若干列,在同一列中,将间隔若干行的N型注入区使用欧姆接触连接到一列金属层位线;在一列金属层位线的一端设有选择开关晶体管;每一行单元的控制栅极横向延伸连接为一个整体,并且在同一行中,将间隔若干列的单元的控制栅极使用欧姆接触连接到一行金属层字线。本发明可以有效地进一步减小像素周期尺寸,提高成像分辨率。
搜索关键词: 基于 复合 介质 结构 成像 阵列 及其 曝光 读取 方法
【主权项】:
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