[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 202010403207.9 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111584635B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 葛薇薇 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;岳丹丹 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括衬底、位于衬底上的漂移区、位于漂移区上的阱区、位于阱区中的源端掺杂区、位于漂移区上与源端掺杂区相对的漏端掺杂区，以及位于源端和漏端之间的位于阱区位置的栅结构，栅结构在阱区中形成沟道区，源端掺杂区包括掺杂类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区，沟道区连接第一掺杂区和漂移区。其中，本发明的半导体器件源端的第一掺杂区和第二掺杂区等同靠近栅结构，降低了第二掺杂区至漂移区与阱区构成的pn结结面的距离，在半导体器件反向关断时，有效降低了由于碰撞电离产生的空穴在阱区中流通路径，降低了阱区上的压降，防止第一掺杂区—阱区—漂移区构成的寄生三极管的误开启，有效地提升了半导体器件的自防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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