[发明专利]一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法在审
| 申请号： | 202010403309.0 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111627823A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 计红军;张文武;修子进;马秋晨;曹依琛;潘浩;张琳;李明雨 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院） |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人： | 罗志伟 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种低温快速生成高强度高熔点接头的芯片连接方法。本发明采用自设计的电阻加热与功率超声结合的超声辅助热压装置，在不破坏芯片的同时，采用高频率低压力的超声振动实现对芯片的低温连接。在芯片连接过程中，利用超声的物理振动效应使得金属纳米颗粒之间、颗粒与基板之间产生了剧烈的摩擦，导致焊料层的温度快速升高，从而加速了原子的扩散，最终在极短时间内更低的温度下实现了芯片与基板的连接。本发明方法获得接头具有更高剪切强度(70‑90MPa)、高热导率(60‑80W/m·K)、宽的服役温度，是第三代半导体芯片连接的一种有效解决方案，同时满足长时间高服役温度、高强度、高可靠性的特殊应用场合。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 生成 强度 熔点 接头 芯片 连接 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
