[发明专利]一种高线性MIS-HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010403434.1 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111668305A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;唐振凌;王小虎;马佩军;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高线性MIS‑HEMT器件及其制备方法，所述高线性MIS‑HEMT器件自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、势垒层以及金属电极层，所述金属电极层两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间设有介质层，所述栅电极设置于所述介质层上方；其中，所述势垒层包括依次均匀排列的若干氟掺杂区(F1～Fm)，m为正整数且m≥2。本发明提供的高线性MIS‑HEMT器件通过栅电极下势垒层不同浓度氟掺杂区域跨导相互补偿，能实现在较大栅源偏压范围内跨导的相对稳定，无需对器件和材料结构进行大量调整便可使器件具有很好的线性度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 mis hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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