[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 202010403783.3 | 申请日： | 2020-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN111554740A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 贺东晓 | 申请（专利权）人： | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 100070 北京市丰*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括有源区和终端区，有源区和终端区均具有衬底，终端区环绕有源区设置，终端区包括多个第一场板，位于衬底上，各第一场板沿由有源区到终端区的方向间隔设置，且相邻各第一场板具有相等的第一间距，第一间距为0.1～8μm。当器件偏置电压突变时，每个场板电容也将均匀的同时变化，从而不会造成电压在场板上的突变而导致的不稳定，降低了场板/场限环之间发生放电击穿的风险。此外，由于间隔设置的场板形成串联电容，从而能够牢牢地控制界面电势的梯度变化，进而能够消除外来的可动离子对终端电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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